CMP研磨（化学的機械研磨）とは

CMP研磨とは

CMP研磨（Chemical Mechanical Polishing）は「ケミカル要素（化学特性）」と「メカニカル要素（機械特性）」を組み合わせて研磨加工を行うことです。化学的機械研磨とも呼びます。

主に半導体プロセスや光学系デバイスにおける製造プロセスなどの分野で実施されている表面加工方法の一つです。基板の表面を極限まで均一に平滑化することが要求されている分野で使われている手法です。

また、弊社で実施している両面/片面研磨においても、材料と研磨剤（酸化セリウムなど）が化学反応を起こし表面の凹凸を滑らかにしていることから、広義のCMP研磨に含む場合もあります。

CMP研磨の内訳（機械研磨と化学研磨）

機械研磨（Mechanical Polishing）

形状出し（材料の平坦性を整える）が主な目的です。研磨機に研磨剤を流し込み、鉄製の 定盤で上下から材料を挟んだ状態で逆回転させることで表裏均一に研磨を行い、形状を整 えていきます。

実際は研磨剤と材料が接触する箇所で化学反応が起きておりますので、機械研磨とは いえ化学要素も入っております。

化学研磨（Chemical Polishing）

材料に応じて選定された特定の薬品（エッチング液）を使用し、表面の微細な凹凸を取り 除いていきます。 材料の状態にもよりますが、化学研磨だけで材料表面の均一性を整えることは難しく、 機械研磨で一定レベル以上表面を整えておくことが必要な場合があります。

仮に、機械研磨を入れず表面の凹凸の状態が残っているまま化学研磨を行った場合、わずかな凹部の形状がエッチング液で浸食され、大きなディンプル（くぼみ）になってしまう場合があります。

まとめ

当社の研磨方式は機械研磨ですが、上述のように材料に応じて加工レートが良い研磨材を選定（化学反応を利用）しており、実際は化学要素も含めた加工方法を確立しております。お客様が求める品質に応じて、コスト面でも優れたベストな選択をいたします。当社の実績とノウハウで最適な加工条件の選定が可能ですので、試作も含めてお気軽にご相談ください。